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본 연구에서는 광발광(PL) 및 기타 캐리어 재결합에 민감한 프로브를 확산 저항 프로파일링(SRP), SIMS 및 IMSIL MC 계산과 결합하여, 실리콘(100)에서 고채널링 및 랜덤 빔 방향 조건으로 형성된 7.5MeV B, 10MeV P 및 As 프로파일과 50keV 인 주입 및 공주입 조합에 대해 이온 주입 범위와 손상 수준을 모니터링합니다. 10MeV 프로파일에 대한 어닐링 효과는 주입 직후 시료와 어닐링된 시료 모두에서 주입 손상에 기인한 PL 데이터의 뚜렷한 이동이 나타남을 보여줍니다. 또한 MeV 이온 주입으로 형성된 결함 중심에서 기인한 PL 신호에서 특이한 '간헐성' 현상이 관찰되었습니다.
