확산 저항 프로파일링 및 푸리에 변환 적외선 반사 측정법을 통한 에피택셜 실리콘 전이 영역 측정

실리콘 에피택시는 상보형 금속 산화물 반도체(CMOS) 장치 제조에 필수적인 기반 기술입니다. 에피택셜 층 두께를 정확하게 결정하는 기술은 균일하고 재현 가능한 공정을 위해 필수적입니다. 본 논문에서는 Semilab의 생산 호환 전기 및 광학 특성화 기술 중 두 가지 기법인 푸리에 변환 적외선(FTIR) 반사 측정법과 확산 저항 프로파일링(SRP)을 통해 얻은 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 전이 영역(TZ) 두께 값을 비교합니다. FTIR 반사 스펙트럼의 광학 모델링을 통해 얻은 TZ 두께와 SRP 프로파일에서 얻은 값 사이에는 높은 상관관계가 있음을 입증합니다. 또한 고온 어닐링 단계에 대한 TZ 두께 변화의 의존성도 분석되었습니다. 따라서 FTIR 반사측정법은 에피택셜 층의 구조적 파라미터를 얻기 위한 빠르고 비접촉 방식으로 측정할 수 있는 대안을 제시하며, 이러한 값은 SRP에서 얻은 값과 잘 일치하게 됩니다.