레이저 어닐링 열 예산이 Ge 함량이 높은 SiGe 박막 채널의 품질에 미치는 영향

고해상도 X선 회절(HR-XRD)과 반전 전하의 이동도를 측정하는 새로운 비접촉 계측 기법을 이용하여 Ge 농도가 최대 55%에 이르는 블랭킷 SiGe/Si 캡 층에 대한 비융해 레이저 어닐링의 한계를 분석합니다. 본 연구에서는 레이저 피크 온도와 SiGe/Si 스택 파라미터의 영향을 논의합니다. 높은 Ge 농도와 해당 SiGe/Si 캡층 두께 조건에서는 과도한 이완을 방지하고 이동도 향상을 유지하기 위해 표준 레이저 어닐링 열 예산을 제한해야 하는 것으로 나타났습니다.