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기존 μ-PCD 수명 매핑 기법을 벌크 태양광용 Si 소재(잉곳, 블록)에 적용하기 위한 매우 효율적인 방법을 제시합니다. 기록된 광전도도 감쇠 곡선의 형태는 전자-정공 쌍 생성을 위해 사용된 레이저의 특성에 크게 영향을 받습니다. 기존 레이저 구성을 최적화된 설정으로 대체함으로써 표면 재결합의 영향을 줄일 수 있으며, 그 결과 측정 가능한 감쇠 시간이 크게 증가합니다. 이를 통해 Si 브릭의 고품질 영역에 대한 캐리어 수명 특성 평가가 보다 정확하게 가능합니다. 또한 제안된 μ-PCD 구현 방식은 유사 기법과 달리 Si 브릭 전체에 걸쳐 비교적 균일한 주입 레벨을 제공합니다. 실험 및 시뮬레이션 결과는 매우 잘 일치하며, 개선된 μ-PCD 기법의 적용성이 향상되었음을 확인합니다.
