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마이크로파 광전도 감쇠(μ-PCD)와 표면 광전압(SPV) 기법은 반도체 벌크 재료의 특성 평가에 있어 매우 강력한 방법으로 입증되었습니다. 이들 기법은 재료 품질이 균일한 표준 웨이퍼에 가장 적합하게 적용됩니다. 그러나 두 방법 모두 에피택셜 층(에피층) 웨이퍼나 실리콘 온 인슐레이터(SOI) 구조를 측정할 때는 한계를 가집니다. 기존 방식에서 SPV 측정은 활성층 두께에 의해 제한됩니다. 한편, 고농도로 도핑된 기판 위에 성장된 에피층은 μ-PCD 측정에서 충분히 높은 신호를 생성하지 못하는 경우가 일반적입니다.
