마이크로파 광전도 감쇠를 이용한 산화된 p형 실리콘 웨이퍼에서의 구리 정량 측정

마이크로파 광전도 감쇠(μ-PCD) 기법을 이용하여 p형 실리콘에서 미량의 구리 오염을 측정하는 방법을 제안합니다. 이 방법은 고강도 빛에 의해 활성화되는 간극 구리의 석출을 기반으로 하며, 이는 소수 캐리어 재결합 활성을 증가시키는 결과를 초래합니다. μ-PCD 측정 결과를 과도 이온 드리프트 및 전반사 X선 형광 측정과 비교함으로써, 증가된 재결합 속도와 구리 농도 사이에 정량적 상관관계가 존재함을 보입니다. 결과적으로, 본 방법은 10¹⁰ cm⁻³ 수준까지의 구리 농도를 측정할 수 있음을 나타냅니다. 산화된 웨이퍼 표면에 코로나 전하를 사용할 경우, 해당 전하가 구리의 외확산을 방지하므로 웨이퍼 보관 시간에 대한 제한이 없습니다. 또한, 구리 석출과 캐리어 재결합 과정에서 산화물 석출물의 역할에 대해 간략히 논의합니다.