外延矽上汞 (Hg) 探針肖特基電容電壓 (MCV) 表面處理方法的評估

汞探針（Hg 探針）肖特基電容電壓 (CV) 廣泛用於矽外延層中的載子密度和電阻率分析。 矽表面的準備對於獲得高品質的 CV 測量至關重要。 目前有多種方法用於處理裸矽外延和拋光塊表面，為 Hg-肖特基 CV 測量做準備。 處理方法包括濕式化學處理和乾處理。 通常，處理可能是測量時間和品質的限制因素。 在此評估中，對 P 型外延矽表面的多種典型處理進行了評估。 還研究了一種處理表面的新穎概念，其中涉及將矽晶片放置在暴露於熱和優化環境的室中。 此預處理室稱為 PTC。 對典型 P 型矽表面處理進行了基於物理的評估。