使用汞探針電容-電壓和電流-電壓來表徵 AlXGa1−XN/GaN 高電子遷移率電晶體結構

高電子遷移率電晶體 (HEMT) 結構的特性對於預測元件行為、監控和開發製程以及提高性能非常重要。 使用汞探針應用多頻電容電壓 (CV) 和直流電壓 (IV) 方法來評估有或沒有覆蓋層的 HEMT，以監測關鍵參數，如夾斷電壓、二維電子氣 (2DEG) 片電荷、GaN 載流子密度分佈、AlGaN 厚度以及介電常數和頂部覆蓋層的性能。