歡迎洽詢產品資訊與報價
針對您的研究需求，提供專業諮詢與客製化解決方案
含有 Si 或 Ge 奈米晶體的 MNS（金屬氮化物矽）和 MNOS（金屬氮化物-氧化物-矽）結構的充電行為透過電容電壓 (C–V) 和記憶體視窗測量以及模擬進行研究。 在中等電壓值下，C–V特性的滯後寬度和注入電荷均表現出對充電電壓的指數依賴性，而在高電壓下，C–V特性的滯後寬度和注入電荷表現出飽和。 不含奈米晶體的參考 MNS 結構的記憶體視窗比參考 MNOS 結構的記憶體視窗更寬。 奈米晶體的存在增強了 MNOS 結構的充電行為，但在 MNS 結構中奈米晶體表現出相反的效果。 主要結論是，靠近Si表面的奈米晶體或其他深層能階的存在，由於增加了隧道機率，增強了電荷注入特性，但氮化物層中遠離Si表面的奈米晶或其他深層能階並沒有增強，甚至會透過捕獲載流子而降低充電行為。
