透過燈照明清潔矽表面

研究了在大氣壓力下在環境空氣中使用燈照明來清潔矽表面（ROST 過程）。 事實證明，透過白光照射 30 秒將晶圓溫度升高至 300°C 足以去除 Si 表面的大多數揮發性污染物。 ROST 可以輕鬆去除源自晶圓儲存和處理環境以及 IPA 乾燥的有機污染物。 此製程對於抑制有機污染物導致的超薄氧化物表觀厚度的不受控制的變化非常有效。 此外，此方法可以有效去除假揮發性污染物（例如硫酸），但不能有效去除除非揮發性污染物（例如鹽和金屬離子）。 一般來說，在晶圓儲存期間沉積的污染物會降低燈管清潔的效率。