非接觸式測量光電晶圓上的薄層電阻和反轉電荷載子遷移率

介紹了差分結光電壓 (diff-JPV) 測量技術的新應用。 此技術能夠確定塗有不同矽片反型層中載流子的薄層電阻p id="">電介質被調查。本研究使用的電介質 - SiO_x、SiN_x 和 Al2O_x - 皆與光伏應用，特別是逆溫層太陽能電池概念。

新開發的通用測量程序和評估利用 diff-JPV 感測器的相位相關表面電位訊號，即使在非常高 (>10 kΩ/sq.)

但是，如果不製造測試設備，則很難獲得參考反型層薄層電阻值。因此，為了驗證 diff-JPV 測量的可靠性，採用間接方法，透過連續表面電暈充電步驟後的 R_s,inv 結果測量反轉電荷載子的遷移率。

觀察到 diff-JPV 結果的非常急劇的轉變，僅顯示反轉狀態中的顯著訊號，並提供 R_s,inv 結果在預期範圍內。根據R_s,inv 與表面電荷圖計算得出的反演電荷載流子遷移率數據與設備測試中發現的數據一致且設備的數據一致且具有可比性。 薄層電阻和遷移率結果對表面形態（即紋理與拋光）、界面質量和給定電介質內的電荷量表現出高度敏感性。

非接觸式 JPV 已被證明是快速表徵反型層特性的快速有效方法。如果將來反型層太陽能電池技術實現產業化，甚至可以在生產線上完成。

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