Lehighton-2000M 電阻與遷移率量測儀

這套非接觸式、非破壞性系統，可用於量測直徑最大達 200 mm（8 吋）之化合物半導體晶圓的載子遷移率與電阻特性。它結合了用於遷移率量測的射頻反射技術與永久磁鐵，以及用於電阻分析的渦電流探頭技術，憑藉高產能與全晶圓圖譜功能，該系統能提供半導體製造與研發中不可或缺的均勻性分析數據。