非接觸式表面電荷半導體表徵

表面電壓和表面光電壓測量已成為重要的半導體特性分析技術，這主要是因為它們的非接觸性質和商業設備的可用性。 這些非接觸式測量技術的用途已從最初的少數載流子擴散長度測量擴展到各種半導體表徵，包括表面電壓、表面勢壘高度、平帶電壓、氧化物厚度、氧化物電荷密度、 界面移動陷阱。 href="https://www.sciencedirect.com/topics/engineering/recombination-lifetime" id="">複合壽命和摻雜密度。 該應用範圍可能會進一步擴大。 與所有表徵技術一樣，也存在局限性，但它們通常可以透過測量的非接觸性質來補償，從而簡化測試結構的製造。

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