非晶銦鎵鋅氧化物濺鍍薄膜製程沉積的橢圓光度研究

本文報告了透過光譜測量橢圓光度法進行的 InGaZnO 光學研究。 首先，分析不同模型、不同結構的適配結果，選擇最適合的模型。 Tauc–Lorentz 模型適用於厚度測量，但更複雜的模型可以更準確地提取折射率和製程沉積，以研究穩定性、一個沉積性的影響。 隨著時間的推移，薄膜呈現出令人滿意的光學穩定性。 InGaZnO 光學特性隨沉積時間的變化與溫度升高有關。 為了了解均勻性的行為，繪圖測量與薄膜電阻率相關。 結果表明，溫度和再濺射是影響 IGZO 均勻性的兩種現象。