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使用氮化矽 (SiN) 在 ~1.5 Ω cm n 型和 p 型矽片上分別獲得極低的上限有效表面複合速度 (Smax.372m)，分別為 4 id="">x）薄膜在工業在線等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）反應器中動態沉積。 SiNx 薄膜在空氣中具有最佳化的抗反射性能，在高溫 (>800 °C) 工業燒製後可提供優異的 Seff.max 9.5cm/s。 如此低的Seff.max值以前只有在實驗室反應器中靜態沉積或經過優化退火後的SiNx薄膜才能實現；然而，在我們的案例中，SiNc-Si 晶圓上，並在沉積狀態和工業燒製後提供出色的表面鈍化結果，這是光伏行業廣泛使用的製程。非接觸式電暈電壓測量表明，這些 SiNx 薄膜含有相對較高的正電荷 (4–8) × 1012 cm−2 以及相對較低的界面缺陷密度 (50211 eV−1 cm−2。版權所有 © 2012 約翰威利公司兒子股份有限公司
