電暈帶電介電錶面的開爾文力顯微鏡表徵

基於電暈開爾文的技術已被用作 MOS 和肖特基勢壘電容電壓 (CV) 測量的非接觸式、免準備替代品。它可以量化介電和界面特性，例如介電電容和電氣厚度 [1 4]、界面態密度 [2 4] 以及介電解質上的洩漏 [2 6]。傳統上，大點電暈-開爾文方法應用於具有覆蓋介電層的無圖案監控晶圓[2,4,5]。開爾文探針和電暈沉積區域的小型化已被引入，將電暈-開爾文計量擴展到產品（即圖案化）矽IC晶圓上的小光點測量，特別是劃線測試位置，尺寸為100 µm × 100 µm或更小 [4, 7]。採用約 10 µm 探針的改良開爾文力顯微鏡 (KFM) 進行表面電位測量，同時透過採用靜電離子聚焦的小孔徑電暈槍將電暈沉積直徑減小到 100 µm 以下[7]。