矽的奈米壓痕

由於壓力誘導矽相變引起的加載曲線異常效應，單晶矽樣品的奈米壓痕行為近年來受到了廣泛關注。 為了進一步闡明這一現象，透過奈米壓痕和原子力顯微鏡對塊體、離子注入的單晶矽樣品進行了研究。 利用P+離子在40KeV加速電壓和80個/cm2劑量下對矽片進行注入，影響矽材料表面淺層的缺陷密度與結構。 我們的實驗提供了用伯科維奇壓頭、球角壓頭和立方角壓頭測量的楊氏模量和硬度數據，加載和卸載過程中彈出和彈出效應的統計數據，以及有關矽材料堆積行為的有趣結果。

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