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缺陷檢測方法為半導體產業中電子晶片製造和功率元件生產過程的基本步驟。基於應力引起的光彈性各向異性,在線偏振應力成像(PSI)和局部剪切應力分量的定量測定可以在單晶矽晶圓中實現。此後,這些偏振應力圖像與基於不同 3D 彈性模型的有限元素模擬的結果進行定量比較和驗證。獨特的是,在目前的定量應力成像研究中,300 毫米晶圓尺寸實現了高通量的高解析度。