橢圓偏振光譜法研究退火對SnO2:F/SiCxOy低輻射率塗層光電性的影響

一種非破壞性方法，透過光譜退火效應對SnO₂:F/SiC_xO₂:F/SiC_xO_y:F/Si. href="https://www.sciencedirect.com/topics/earth-and-planetary-sciences/ellipsometry" id="">橢圓測量法已建立。 使用四層模型對 SnO₂:F/SiC_xO_y 薄膜在 600 °C 下進行不同退火時間，評估其結構參數和光學常數，深入了解退火過程中 Low-E 惡化的機制。 橢偏儀得出的結果表明，在 600 °C 下加熱時，粗糙層正在減小，並且可能會引起缺陷和應變變化，從而導致電導率下降。然而，從基板擴散的鈉離子對退火過程中電性能的惡化影響很小。 更直觀地，我們也利用德魯德色散定律涉及的兩個關鍵參數——等離子體頻率和碰撞頻率來評估SnO₂:F的電性能，並提出了一種修正的半經驗方程式將德魯德參數與發射率聯繫起來。