為了讓矽晶圓正常運作,它們需要近乎完美。 即使完成了包含約 400-600 個步驟、需要 2-3 個月且成本數百萬美元的整個晶圓製造過程,如果沒有足夠的品質控制和檢查,晶圓作為半導體裝置的功能仍然會較差。
了解有關製造過程和由於對品質的高期望,讓我們仔細看看矽晶圓中的典型缺陷,這次重點關注發現體微缺陷。
我們的「缺陷宇宙」透過圖表,我們可以幫助可視化這些微小但嚴重的缺陷,如果不及時檢測,這些缺陷可能會毀掉整個晶片,並浪費寶貴的時間和資源。 光散射斷層掃描技術是檢測大塊單晶材料中數十奈米範圍缺陷的有效方法。 聚焦的紅外線雷射光束照射靠近半導體晶圓劈裂表面的散射體,如沉澱物、位錯和堆疊層錯。使用高數值孔徑物鏡收集垂直散射光,並使用近紅外線敏感 CCD 相機檢測影像。

我們的低角度光散射斷層掃描解決方案可實現製造商可以篩選出任何有缺陷的材料,節省寶貴的時間和資源,同時確保只有完美的晶片進入市場,並且不會生產出浪費的產品。