2014 • Advanced Semiconductor Manufacturing Conference ASMC), 2014 Annual SEMI
本文介绍了一项研究,旨在评估组合技术的优势,以改善掺硼薄硅锗 (SiGe) 外延层的整体计量。 通过不同的在线计量工具和表征技术处理和测量一组专门设计的晶圆。 本研究描述了结合计量技术的最佳策略,以便可靠地确定各层的掺杂剂浓度和 Ge 成分测量。 它表明组合计量可以实现制造和工程环境的关键改进。
D. Le Cunff, T. Nguyen, R. Duru, F. Abbate, J. Hoglund, N. Laurent, F. Pernot, M. Wormington
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