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含有 Si 或 Ge 纳米晶体的 MNS（金属氮化物硅）和 MNOS（金属氮化物-氧化物-硅）结构的充电行为 通过电容电压 (C–V) 和内存窗口测量以及仿真进行研究。 在中等电压值下，C–V特性的滞后宽度和注入电荷均表现出对充电电压的指数依赖性，而在高电压下，C–V特性的滞后宽度和注入电荷表现出饱和。 不含纳米晶体的参考 MNS 结构的内存窗口比参考 MNOS 结构的内存窗口更宽。 纳米晶体的存在增强了 MNOS 结构的充电行为，但在 MNS 结构中纳米晶体表现出相反的效果。 主要结论是，靠近Si表面的纳米晶或其他深层能级的存在，由于增加了隧道概率，增强了电荷注入特性，但氮化物层中远离Si表面的纳米晶或其他深层能级并没有增强，甚至会通过捕获载流子而降低充电行为。
