通过灯照明清洁硅表面

研究了在大气压力下在环境空气中使用灯照明来清洁硅表面（ROST 过程）。 事实证明，通过白光照射 30 秒将晶圆温度升高至 300°C 足以去除 Si 表面的大多数挥发性污染物。 ROST 可以轻松去除源自晶圆存储和处理环境以及 IPA 干燥的有机污染物。 该工艺对于抑制有机污染物导致的超薄氧化物表观厚度的不受控制的变化非常有效。 此外，该方法可以有效去除假挥发性污染物（例如硫酸），但不能有效去除非挥发性污染物（例如盐和金属离子）。 一般来说，在晶圆存储期间沉积的污染物会降低灯管清洁的效率。