非接触式测量光伏晶圆上的薄层电阻和反转电荷载流子迁移率

介绍了差分结光电压 (diff-JPV) 测量技术的新应用。 该技术能够确定涂有不同硅片反型层中载流子的薄层电阻R_s,inv id="">电介质被调查。 本研究中使用的电介质 - SiO_x、SiN_x 和 Al2O_x - 均与光伏应用，特别是逆温层太阳能电池概念。

新开发的通用测量例程和评估利用 diff-JPV 传感器的相位相关表面电势信号，即使在 非常高 (>10 kΩ/sq.) R_s,inv 范围，这是反型层的典型值。

但是，如果不制造测试设备，则很难获得参考反型层薄层电阻值。 因此，为了验证 diff-JPV 测量的可靠性，采用间接方法，通过连续表面电晕充电步骤后的 R_s,inv 结果测量反转电荷载流子的迁移率。

观察到 diff-JPV 结果的非常急剧的转变，仅显示反转状态中的显着信号，并提供 R_s,inv 结果在预期范围内。 根据R_s,inv 与表面电荷图计算得出的反演电荷载流子迁移率数据与设备测试中发现的数据一致且具有可比性。 薄层电阻和迁移率结果对表面形态（即纹理与抛光）、界面质量和给定电介质内的电荷量表现出高度敏感性。

非接触式 JPV 已被证明是快速表征反型层特性的快速有效方法。 如果将来反型层太阳能电池技术实现产业化，甚至可以在生产线上完成。

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