Lehighton-2000M 方阻与迁移率测量仪

该系统采用非接触、无损的设计方案，专为直径最高达 200 mm 的化合物半导体晶圆的载流子迁移率及方阻表征而设计。它结合了用于迁移率测量的射频反射技术与永久磁体技术，并集成涡流探头技术进行方阻分析。凭借高通量和全晶圆扫描功能，该系统能够提供半导体制造与研发中至关重要的均匀性分析数据。