离子沟道和共注入对 Si 中离子范围和损伤的影响：使用 PL、SRP、SIMS 和 MC 模型的研究

本研究使用光致发光 (PL) 和其他载流子复合敏感探针，结合扩散电阻分析 (SRP)、SIMS 和 IMSIL MC 计算，监测高度通道和随机光束方向 7.5 MeV B 和 10 MeV P 和 As 分布以及硅 (100) 中 50 keV 磷注入的共注入的各种组合中的离子范围和损伤水平。 退火对 10 MeV 曲线的影响表明，在注入样品和退火样品中，来自注入损伤的 PL 数据发生了强烈的变化。 MeV 植入缺陷中心的 PL 信号中出现了奇怪的“间歇性”。