椭圆偏振光谱法研究退火对SnO2:F/SiCxOy低辐射率涂层光电性能的影响

一种非破坏性方法，通过光谱退火效应对SnO₂:F/SiC_xO_y低发射率(Low-E)薄膜的光学和电学性能的影响椭圆测量法已建立。 使用四层模型对 SnO₂:F/SiC_xO_y 薄膜在 600 °C 下进行不同退火时间，评估其结构参数和光学常数，深入了解退火过程中 Low-E 性能恶化的机制。 椭偏仪得出的结果表明，在 600 °C 下加热时，粗糙层正在减小，并且可能会引起缺陷和应变变化，从而导致电导率下降。 然而，从基板扩散的钠离子对退火过程中电性能的恶化影响很小。 更直观地，我们还利用德鲁德色散定律涉及的两个关键参数——等离子体频率和碰撞频率来评估SnO₂:F的电性能，并提出了一种修正的半经验方程将德鲁德参数与发射率联系起来。