전력 장치 특성화를 위한 분석 도구

전력 장치는 전기적으로 활성화된 두꺼운 n형 실리콘 층과 높은 저항률, 그리고 넓은 면적을 필요로 하기 때문에, 전기적 특성이 오염에 매우 민감합니다. 장치 제조에 필요한 고온 공정 중 전이 금속이 웨이퍼 내로 확산될 경우, 누설 전류와 온 상태 전압의 비제어적 증가가 발생할 수 있습니다. 또한 전류 필라멘테이션 및 전기적 데이터의 불안정성이 나타날 수 있습니다. 더 나아가, n형 베이스의 낮은 도핑 농도로 인해, 차단 전압과 우주 방사선에 의한 고장률은 공여체 또는 수용체로 작용하는 오염 원자에 민감하게 영향을 받습니다. 오염의 발생 원인과 정도에 대한 정보를 확보하기 위해, 각 고온 공정 이후 오염 검사를 수행하였습니다. 또한 전력 장치의 일반적인 작동 조건에서 캐리어 수명의 온도 및 주입 수준 의존성을 분석하였습니다. 이러한 결과는 오염과 실리콘 결함 밀도를 가능한 한 낮게 유지하고, 충분한 안정성을 갖는 우수한 전기적 특성을 확보하기 위한 방안을 도출하는 데 중요한 역할을 하였습니다. © 2000 The Electrochemical Society. All rights reserved.

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