비접촉 표면 전하 반도체 특성화

표면 전압 및 표면 광전압 측정은 주로 비접촉 특성과 상용 장비의 가용성으로 인해 중요한 반도체 특성화 기법으로 자리 잡았습니다. 이러한 비접촉 측정 기법의 활용은 소수 캐리어 확산 길이 측정의 초기 적용에서 출발하여 표면 전압, 표면 장벽 높이, 평탄대 전압, 산화물 두께, 산화물 전하 밀도, 계면 트랩 밀도, 이동 전하 밀도, 산화물 무결성, 생성 수명, 재결합 수명 및 도핑 밀도를 포함한 다양한 반도체 특성 분석으로 확대되었습니다. 이러한 응용 범위는 앞으로 더욱 확대될 것으로 예상됩니다. 모든 특성화 기법과 마찬가지로 한계가 존재하지만, 비접촉식 측정이라는 장점이 테스트 구조 제작을 단순화함으로써 이러한 한계를 보완하는 경우가 많습니다.

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