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트랜지스터 크기가 더욱 작아지고 새로운 구조가 등장하면서 다양한 구조적 결함을 검출해야 하는 등 새로운 계측상의 과제 또한 발생하고 있습니다. 뮬러 매트릭스(MM) 측정은 이러한 문제를 분석할 수 있는 가능성을 제공합니다.
결함은 장치 성능 저하를 초래할 수 있으므로 이에 대한 특성화가 특히 중요합니다. 본 연구의 목표는 MM 측정을 통해 비대칭 결함을 검출할 수 있는 가능성을 조사하고 포크시트 전계 효과 트랜지스터(Forksheet Field-Effect Transistor, FET)의 경우 이러한 구조적 결함의 구별 가능성을 연구하는 것입니다.
포크시트 FET 프로파일 비대칭의 정도와 방향을 달리하여 MM 측정을 시뮬레이션하였습니다. 결함으로 인한 광학 응답의 구별성을 정량화하기 위해 비대칭 파라미터 간 상관 관계를 계산했습니다. 또한 시료의 정밀한 정렬은 비대칭 검출의 핵심 요소이므로 정렬 불확실성의 영향과 이를 필터링하는 방법도 조사되었습니다.
MM 측정은 프로파일 굽힘의 크기와 방향, 유전체 벽의 이동에 모두 민감하게 반응합니다. 상관계수 분석 결과, 비대칭 결함에 의한 광학적 응답과 정렬 오차에 의한 응답을 구별할 수 있음을 확인하였습니다. 후자는 이 기사에 제시된 방법으로 제거할 수도 있습니다.
