분광 타원편광법을 이용한 수직 공진기 표면 발광 레이저용 서브파장 격자 구조 모니터링

GaAs 기반 수직 공진기 표면 발광 레이저(VCSEL)는 영상 기술, 광 센서 및 인터커넥트 분야에서의 다양한 응용으로 인해 가장 빠르게 성장하는 시장 중 하나를 형성하고 있습니다. 이러한 레이저 다이오드의 안정적인 단일 모드 동작은 일반적으로 GaAs 반도체 표면에 서브파장 구조를 형성함으로써 구현됩니다. 제조 공정 중 형성된 나노구조를 신속하고 가능하면 비접촉 방식으로 검사하는 것이 요구됩니다. 분광 타원계측법 기반 계측 기술을 이용한 나노구조 특성 분석은 반도체 산업에서 필수적인 도구로 자리잡았습니다. 타원계측법의 고급 기법 중 하나는 뮬러 행렬 타원계측법으로, 기존 타원계측법으로는 측정이 어렵거나 불가능한 구조 세부 정보를 분석할 수 있습니다. 본 논문에서는 VCSEL 제조 공정 중 GaAs 기판 위에 형성된 선형 격자 구조에 대해, 분광 타원계측법 및 뮬러 행렬 분광 타원계측법을 활용한 모델 기반 치수 계측을 통해 나노구조 특성 분석 결과를 제시합니다.