마이크로파 흡수 분광법(MAS)으로 측정한 Se₀의 포획 단면적의 온도 의존성

개선된 마이크로파 흡수 분광법(MAS) [1] 실험 장치를 사용하여 심층 준위의 열 방출 속도와 포획 단면적을 측정할 수 있는 온도 범위를 크게 확장했습니다. 이 기법의 성능은 n형 Si에서 Se₀ 준위에 대해 입증되었으며, 포획 단면적은 기존에 보고된 최고 온도인 250 K [2]와 비교하여 최대 350 K까지 측정되었습니다.
고온 데이터는 포획 단면적의 온도 의존성을 설명하는 이론과 비교되었습니다.