InAs/GaAs 양자점에서의 열 방출 및 터널링 전자 방출의 3차원 매핑

온도, 인가 전압, DLTS 신호로 구성된 파라미터 공간에서 딥 레벨 과도 분광법(DLTS) 데이터를 3차원으로 표현함으로써 양자점의 복잡한 기본 특성을 해석하는 방법을 제시합니다. InAs/GaAs 양자점에 대한 실험 결과를 동일한 파라미터 공간에서 제시된 이론 계산과 비교했습니다. 이러한 비교를 통해 캐리어 터널링과 열 방출이 지배적인 영역과 이들의 혼합 영역을 구분할 수 있으며, 이를 통해 이러한 시스템에서의 복잡한 방출 데이터를 구성 요소별로 분해할 수 있습니다.