用於表徵功率元件的分析工具

由於功率元件需要具有高電阻率和大面積的電活性、厚n型矽層，因此它們的電特性對污染極為敏感。 如果過渡金屬在裝置製造所需的高溫步驟期間擴散到晶圓中，則可以觀察到漏電流和導通電壓不受控制的增加。 此外，可能會發生電流絲狀現象和電氣資料的不穩定。 由於 n 基的摻雜程度較低，宇宙輻射引起的阻斷電壓和故障率對充當施主或受主的污染原子很敏感。 為了獲得有關污染源和污染程度的信息，在每個高溫步驟後都進行了污染檢查。 此外，針對功率元件的典型工作條件，分析了載子壽命對溫度和注入程度的依賴性。 事實證明，這些結果對於尋找盡可能降低污染和矽缺陷密度的方法以及確保獲得具有足夠穩定性的良好電氣數據非常重要。 © 2000 電化學協會。 保留所有權利。

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