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從深能階檢測捕獲的載流子的熱發射仍然被認為是獲取半導體中電活性雜質資訊的最靈敏方法。 為了增強探測熱發射的能力，我們正在開發一種微波檢測技術。 本文報告了微波檢測系統功能的理論描述和實驗驗證。 使用 Si:Se0 系統的測量說明了這種測量技術在缺陷研究中的可能性
