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這項工作報告了 n 型塊狀 GaAs 中 EL2、EL3 和 EL6 能階的單軸應力 DLTS 測量。 應力平行於(111)軸。 缺陷狀態 EL6 似乎不受高達 1.5 kbar 的應力的影響。 EL2 的壓力係數為 1.3 meV kbar-1。 EL3 顯示低應力 (2.8 meV kbar-1) 和高應力 (4.6 meV kbar-1) 壓力係數。 這些結果是結合先前在文獻中發表的報告數據進行討論的。 也報告了 EL3 能階發射率的異常電場依賴性。
