離子通道和共注入對 Si 中離子範圍和損傷的影響：使用 PL、SRP、SIMS 和 MC 模型的研究

本研究使用光致發光 (PL) 和其他載流子複合敏感探針，結合擴散電阻分析 (SRP)、SIMS 和 IMSIL MC 計算，監測高度通道和隨機光束方向 7.5 MeV B 和 10 MeV P 和 As 分佈以及矽 (100) 中 50 keV 的離子注入水平。 退火對 10 MeV 曲線的影響表明，在註入樣品和退火樣品中，來自註入損傷的 PL 數據發生了強烈的變化。 MeV 植入缺陷中心的 PL 訊號中出現了奇怪的「間歇性」。