透過擴展電阻分佈和傅立葉變換紅外線反射計測量外延矽過渡區

矽外延是互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 裝置製造中的重要組成部分。 準確地確定外延層厚度對於獨角獸和可重複的過程是必不可少的。 在本文中，我们比较了通过 Semilab 的两种生产兼容的电学和光学表征技术获得的硅外延片中过渡区 (TZ) 的厚度值：傅里叶变换红外 (FTIR) 反射计和扩展电阻分析 (SRP)。 我們證明了透過 FTIR 反射光譜光學建模獲得的 TZ 厚度與 SRP 曲線之間存在高度相關性。也研究了 TZ 厚度變化對高溫退火步驟的依賴性。 因此，FTIR 反射仪为获取外延层的结构参数提供了一种快速、非接触式的替代方案，并且这些值可以与 SRP 给出的值很好地匹配。