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透過原子層沉積 (ALD) 製備了高導電且均勻的 Ga 摻雜 ZnO (GZO) 薄膜，作為 InGaN/GaN LED 的透明導電層。 最佳 Ga 摻雜濃度為 3 at%。 即使是 4” 晶圓，根據渦流和光譜橢圓光測圖，TCO 層也顯示出優異的薄膜電阻率均勻性 (0.8%)。這使得 ALDBE 和 PBE 和 PBE 和 PBExy" id="">ALDBE> 成為一種優於 MBE 和 PBExy" id="">ALDBE>等平行方法的有利技術，因為在這些方法中，尺寸放大存在問題。 id="">ALD沉積技術：首先沉積並退火“緩衝層”，然後進行第二步沉積。
