深陷阱電場相關熱發射資料的解釋

本文考慮了從德拜尾重新捕獲載子與半導體二極體空間電荷區深陷阱熱發射同時發生的後果。 DLTS 測量證明了上述製程在場相關熱發射研究中的重要性。 事實證明，忽略重新捕獲機制可能會導致誤解。