透過光譜橢圓光度法監測垂直腔表面發射雷射應用的亞波長光柵結構

基於砷化鎵的垂直腔表面發射雷射 (VCSEL) 因其在成像技術、光學感測器和互連領域的廣泛應用而成為成長最快的市場之一。 這些雷射二極體的穩定、單模運行通常是透過在 GaAs 半導體表面形成亞波長結構來實現的。 在製造過程中需要對所形成的奈米結構進行快速且優選地非接觸式檢查。 基於光譜橢圓光度測量的奈米結構表徵已成為半導體產業不可或缺的工具。 橢圓光度術的一種先進方法是穆勒矩陣橢圓光度術的應用，它能夠表徵使用標準橢圓光度術測量難以測量或無法達到的結構細節。 在本文中，作者介紹了在 VCSEL 製造過程中使用光譜橢圓光度法和 Mueller 矩陣光譜橢圓光度法對 GaAs 基板上形成的線光柵進行基於模型的尺寸計量的奈米結構表徵結果