透過微波吸收光譜 (MAS) 測量 Seo 捕獲截面的溫度依賴性

使用改進的微波吸收光譜 (MAS) 實驗裝置 [1]，我們已經能夠顯著擴展溫度範圍來測量熱發射率和深能階的捕獲截面。 該技術的能力已在 n= 型 Si 中的 Se° 水平上得到證明，其中捕獲截面的測量溫度高達 350 K，而與先前報告的最高溫度 250 K 相比 [2]。
將高溫數據與描述捕獲截面的溫度依賴性的理論進行了比較。