穩定劑濃度對In2O3薄膜形成的影響

In₂O₃ 由於其相對較寬的帶隙和合理的導電性，成為許多透明導電氧化物的母體氧化物半導體。 利用簡單且廉價的溶液加工方法製造 In₂O₃ 薄膜的能力使其在顯示器和太陽能電池中的應用具有吸引力。 然而，為了優化和改善這些薄膜的光電特性並實現可擴展性，了解溶液化學背後的基本原理至關重要，但往往被忽略。 目前的研究強調使用穩定劑來長期維持溶液狀態並促進強 M-O-M 鍵的形成，但很少深入研究基礎化學或討論改變穩定劑濃度的影響。 本文探討了改變用作穩定劑的單乙醇胺濃度對 In₂O₃ 薄膜品質的影響。 採用紫外可見光譜和紅外光譜來追蹤溶液隨時間的變化，以探索穩定劑的作用。 同時，使用 X 射線光電子能譜、原子力顯微鏡和橢圓光度法對不同時間點的溶液製備的薄膜進行了表徵。 透過這種方法，解決方案的變化可以與薄膜特性直接相關，這對於它們在電子應用中的使用至關重要。

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