Forksheet FET - 電晶體製造的未來？

隨著電晶體尺寸的不斷縮小和新結構的出現，新的計量挑戰也隨之出現，包括不同結構缺陷的偵測。 在互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 技術領域，對更高效、更快速裝置的需求不斷增長，其中包括開發更小、更複雜的電晶體。

有一段時間，奈米片 FET 被認為是現代裝置製造的頂尖技術，但成功縮小電晶體尺寸的關鍵預計是基於叉片場效電晶體 (FET) 的裝置的出現。 Forksheet FET 是奈米片架構的高級變體，在 n 通道金屬氧化物半導體 (NMOS) 和 p 通道金屬氧化物半導體 (PMOS) 裝置之間添加了介電壁，從而實現更緊密的排列。 根據模擬，與奈米片 FET 相比，預計性能可提高 10%，能源效率提高 24%，電池面積減少 20%。 1 然而，必須強調的是，儘管有這些改進，結構內出現的缺陷尺寸保持不變，從而放大了其影響。 因此，高效、準確的計量解決方案對於及時檢測這些缺陷、確保最佳的裝置製造流程變得越來越重要。

歐洲半導體界熱衷於擴大其市場份額，鞏固其作為全球半導體行業技術創新者的地位，重點關注促進技術進步、提供重要信息交換和加強知識共享以改進器件製造工藝的項目。 在 IT2 EU 專案的框架內，Semilab 基於 Semilab 光譜橢圓光度專家的最新開發成果，發表了論文《使用 Mueller 矩陣橢圓光度法檢測 Forksheet FET 陣列中的結構不對稱：一項理論研究》。 他們的工作需要開發通用橢圓偏振方法和系統來測量與傳統 OCD 互補的數據，例如線粗糙度、節距行走、彎曲或其他不規則性。

針對上述叉片 FET 樣品的表徵，該團隊進行了標準光譜橢圓偏振測量。 經過評估後，他們進行了穆勒矩陣 (MM) 測量，因為它可以提供一個機會來研究材料的不對稱性並提供更好的結果。

該團隊的方法是創建對叉板 FET 輪廓不對稱性的不同程度和方向的 MM 測量的模擬，以量化由缺陷引起的光學響應的可區分性，併計算不對稱參數之間的相關性。由於樣品的精確對準是檢測不對稱性的關鍵因素，因此也研究了對準不確定性的影響以及濾除該不確定性的方法。
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