用于大型 LED 晶圆的 ALD 均质透明导电 ZnO:Ga

通过原子层沉积 (ALD) 制备了高导电且均匀的 Ga 掺杂 ZnO (GZO) 薄膜，作为 InGaN/GaN LED 的透明导电层。 最佳 Ga 掺杂浓度为 3 at%。 即使对于 4” 晶圆，根据涡流和光谱椭圆光测图，TCO 层也显示出优异的薄膜电阻率均匀性 (0.8%)。这使得 ALD 成为一种优于 MBE 和 PLD 等并行方法的有利技术，因为在这些方法中，尺寸放大存在问题。 先前的研究发现，通过退火处理可以提高GZO/p-GaN界面的质量，尽管它会导致TCO电导率下降，因此，提出并论证了两步ALD沉积技术：首先沉积并退火“缓冲层”，然后进行第二步沉积。 以保持顶层的高电导率。