通过光谱椭圆光度法监测垂直腔表面发射激光应用的亚波长光栅结构

基于砷化镓的垂直腔表面发射激光器 (VCSEL) 因其在成像技术、光学传感器和互连领域的广泛应用而成为增长最快的市场之一。 这些激光二极管的稳定、单模运行通常是通过在 GaAs 半导体表面形成亚波长结构来实现的。 在制造过程中需要对所形成的纳米结构进行快速且优选地非接触式检查。 基于光谱椭圆光度测量的纳米结构表征已成为半导体行业不可或缺的工具。 椭圆光度术的一种先进方法是穆勒矩阵椭圆光度术的应用，它能够表征使用标准椭圆光度术测量难以测量或无法达到的结构细节。 在本文中，作者介绍了在 VCSEL 制造过程中使用光谱椭圆光度法和 Mueller 矩阵光谱椭圆光度法对 GaAs 衬底上形成的线光栅进行基于模型的尺寸计量的纳米结构表征结果