稳定剂浓度对In2O3薄膜形成的影响

In₂O₃ 由于其相对较宽的带隙和合理的导电性，成为许多透明导电氧化物的母体氧化物半导体。 利用简单且廉价的溶液加工方法制造 In₂O₃ 薄膜的能力使其在显示器和太阳能电池中的应用具有吸引力。 然而，为了优化和改善这些薄膜的光电特性并实现可扩展性，了解溶液化学背后的基本原理至关重要，但往往被忽视。 目前的研究强调使用稳定剂来长期维持溶液状态并促进强 M-O-M 键的形成，但很少深入研究基础化学或讨论改变稳定剂浓度的影响。 本文探讨了改变用作稳定剂的单乙醇胺浓度对 In₂O₃ 薄膜质量的影响。 采用紫外可见光谱和红外光谱来跟踪溶液随时间的变化，以探索稳定剂的作用。 同时，使用 X 射线光电子能谱、原子力显微镜和椭圆光度法对不同时间点的溶液制备的薄膜进行了表征。 通过这种方法，解决方案的变化可以与薄膜特性直接相关，这对于它们在电子应用中的使用至关重要。

‍