Forksheet FET - 晶体管制造的未来？

随着晶体管尺寸的不断缩小和新结构的出现，新的计量挑战也随之出现，包括不同结构缺陷的检测。 在互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术领域，对更高效、更快速器件的需求不断增长，其中包括开发更小、更复杂的晶体管。

有一段时间，纳米片 FET 被认为是现代器件制造的顶尖技术，但成功缩小晶体管尺寸的关键预计是基于叉片场效应晶体管 (FET) 的器件的出现。 Forksheet FET 是纳米片架构的高级变体，其中在 n 沟道金属氧化物半导体 (NMOS) 和 p 沟道金属氧化物半导体 (PMOS) 器件之间添加了介电壁，从而实现更紧密的排列。 根据模拟，与纳米片 FET 相比，预计性能可提高 10%，能效提高 24%，电池面积减少 20%。1 然而，必须强调的是，尽管有这些改进，结构内出现的缺陷尺寸保持不变，从而放大了其影响。 因此，高效、准确的计量解决方案对于及时检测这些缺陷、确保最佳的器件制造工艺变得越来越重要。

欧洲半导体界热衷于扩大其市场份额，巩固其作为全球半导体行业技术创新者的地位，重点关注促进技术进步、提供重要信息交换和加强知识共享以改进器件制造工艺的项目。 在 IT2 EU 项目的框架内，Semilab 基于 Semilab 光谱椭圆光度专家的最新开发成果，发表了论文《使用 Mueller 矩阵椭圆光度法检测 Forksheet FET 阵列中的结构不对称：一项理论研究》。 他们的工作需要开发通用椭圆偏振方法和系统来测量与传统 OCD 互补的数据，例如线粗糙度、节距行走、弯曲或其他不规则性。

针对上述叉片 FET 样品的表征，该团队进行了标准光谱椭圆偏振测量。 经过评估后，他们进行了穆勒矩阵 (MM) 测量，因为它可以提供一个机会来研究材料的不对称性并提供更好的结果。

该团队的方法是创建对叉板 FET 轮廓不对称性的不同程度和方向的 MM 测量的模拟，以量化由缺陷引起的光学响应的​​可区分性，并计算不对称参数之间的相关性。 由于样品的精确对准是检测不对称性的关键因素，因此还研究了对准不确定性的影响以及滤除该不确定性的方法。
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