RF 플라즈마 처리된 실리콘의 쇼트키 다이오드의 탄도 전자 방출 현미경

PtSi/n-Si(100) 다이오드는 Pt 스퍼터 증착을 통해 제작되었으며, 일부 Si 기판은 사전에 강한 플라즈마 세정을 거쳤습니다. 시료는 I–V 측정, 심층 과도 분광법 및 탄도 전자 방출 현미경(BEEM)을 이용하여 분석하였습니다. 강력한 플라즈마 세정 결과, I–V 및 BEEM 측정 모두에서 매우 약하게 플라즈마 세정된 시료에 비해 쇼트키 장벽이 약 0.2eV만큼 실질적으로 감소한 것으로 나타났습니다. 본 연구에서는 금속/반도체 계면에서의 터널링과 이미지 힘 보정을 고려한 BEEM 스펙트럼 모델을 제시합니다. 이러한 효과는 플라즈마 세척으로 인한 공여형 결함에 의해 계면 근처에서 형성되는 높은 전기장에 기인합니다.

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