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PtSi/n-Si(100) 二極體是透過濺鍍沉積 Pt 製備的，其中一些 Si 基板事先經過了強等離子體清洗。 透過I–V測量、深能階瞬態光譜和彈道電子發射顯微鏡 (BEEM) 對樣品進行了研究。 經過強等離子清洗後，I–V 和 BEEM 均顯示，與非常溫和的等離子清洗樣品相比，肖特基勢壘大幅降低了約 0.2 eV。 我們提出了一個 BEEM 光譜模型，該模型考慮了像力校正和金屬/半導體界面上的隧道效應。 這些效應的發生是由於等離子體清洗引入的施主型缺陷導致界面附近產生高電場。
